دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران جنوب

صفحه اصلی / سومین کنفرانس ملی فناوری های نوین در انرژی

مدل سازی دوبعدی پتانسیل و ولتاژ آستانه برای ترانزیستورهای نانوسیمی با دریچه دو کاناله کوتاه

نویسندگان :

رضا اکبرپورانی¹ جواد کرمدل² حسن قلمی باویل علیایی³ روشنک رفیعی نظری⁴

1- تهران جنوب 2- دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران جنوب 3- تهران جنوب 4- دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران جنوب

کلمات کلیدی :

دو دروازه،ترانزیستور دو ماده،معادله پواسون دو بعد ی،ولتاژ آستانه،معادله الپالس

چکیده :

در این مقاله با حل معادالت پواسون، مدل ی دقیق برای ترانزیستورهای نانوسیم دو دروازه ای دو ماده پیشنهاد و ارائه شده است که نسبت به مدل های قبلی جامع تر و کامل تر است. در اینجا با در نظر گرفتن ترانزیستور دو دروازه با گیت دو ماده، برای تحلیل دقیقتر پتانسیل داخل کانال، مدلسازی آن و حل معادله پواسون به صورت دو بعدی در نظر گرفته شده است. در این روش پتانسیل الکترواستاتیک داخل کانال از مجموع دو قسمت پتانسیل کانال بلند )پاسخ یک بعدی معادله پواسون( و تغییرات پتانسی ل ناشی از اثر جانبی میدان تخلیه )پاسخ دو بعدی معادله ال پالس( به دست می آی د. همچنین وابستگی شارژ داخل کانال به پتانسیل داخل کانال در نظر گرفته شده است که در نهایت پاسخ کلی و دقیق تری برای پتانسیل ترانزیستور می دهد. در نها یت، پارامترهای ترانزیستور مانند ولتاژ آستانه بر اساس تابع پتانسیل دو بعدی به دست آمده محاسبه خواهد شد. بر اساس مدل موجود، که در آن پتانسیل دو بعدی در کانال ترانزیستوری به عنوان مجموع دو قسمت پتانسیل سطح در یک بعد و تغییرات جانبی پتانسیل در دو بعد در نظر گرفته می شود و بار کانال ثابت فرض می شود، برای یک ترانزیستور دو گیت با گیت دو ماده، پتانسیل به طور کلی بر اساس مجموع پتانسی ل خارج از کانال بسته به کانال ی ک طرفه در نظر گرفته می شود. پتانسیل در دو بعد همچنین، بار در رابطه پواسون وابسته به پتانسیل داخل کانال )و نه یک مقدار ثابت( در نظر گرفته می شود که تحلیل کامل تری از معادله پواسون به دست می دهد. در نهایت نتایج به دست آمده با نتایج موجود در مراجع مقایسه شده و صحت مدل ارائه شده مورد بررسی قرار می گیرد.