دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران جنوب

صفحه اصلی / اولین کنفرانس ملی شیمی، نانو مواد، پلیمر- چالش ها و کاربردها

محاسبه و بررسی تغییرات باند گپ نانوکامپوزیتهای ZnO/PEG به روش تاک

نویسندگان :

نسیبه ملاحسنی¹

1- دانشگاه آزاد اسلامی تهران شرق

کلمات کلیدی :

اکسید روی،باند گپ،پلی اتیلن گلیکول،نانوکامپوزیت،معادله tauce

چکیده :

با توجه به خواص نوری جالب اکسید روی و باند گپ گسترده آن که زمینه های کاربردی متعددی را برای آن ایجاد میکند و همچنین تاثیر عوامل گوناگون نظیر سایز، شکل و روش سنتز و کامپوزیت شدن در باند گپ، در این تحقیق تاثیر کامپوزیت شدن اکسید روی با پلیمر پلی اتیلن گلیکول را بر مقدار باند گپ این ماده بررسی نمودیم. ابتدا سنتز نانو کامپوزیتهای ذکر شده با روش ساده هم رسوبی و در دمای اتاق و با دو پلیمر پلی اتیلن گلیکول با جرم مولکولی بالا 10000 و پایین1500صورت گرفت. سپس شناسایی ذرات با روشهای اسپکتروسکوپی انجام شد و بررسی های میکروسکوپی تایید کرد که سایزذرات در رنج حدود50-20 نانومتر می باشد. محاسبات باند گپ به کمک اسپکتروسکوپی جذبی UV-Visible و معادله tauce انجام گردید. این محاسبات نشان داد که باند گپ اکسید روی تحت تاثیرکامپوزیت شدن با پلیمر پلی اتیلن گلیکول تغییر کرده و از مقدار 3.4 الکترون ولت به 3.9 می رسد. توجه به نتایج بدست آمده برای محاسبات در 2n= بیشترین مقدار عددی باند گپ برای نانو کامپوزیت اکسید روی/پلی اتیلن گلیکول 10000 است که شاهد افزایش آن نسبت به اکسید روی خالص هستیم. علت تغییرات مشاهده شده دراین موارد تداخل ترازهای انرژی ماده کامپوزیت شده با ترازهای انرژی ماده زمینه یعنی اکسید روی می باشد.